Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
double-level polysilicon CMOS structure — jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei… … Radioelektronikos terminų žodynas
poly squared CMOS structure — jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei… … Radioelektronikos terminų žodynas
overlaid CMOS structure — daugiasluoksnis jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. overlaid CMOS; overlaid CMOS structure; overlaid complementary MOS vok. komplementäre Mehrebenen MOS Struktur, f; Mehrebenen CMOS Struktur, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
radiation-hard CMOS structure — jungtinis švitinimui atsparus MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radiation hard CMOS; radiation hard CMOS structure vok. strahlungsfeste CMOS Struktur, f; strahlungsfeste komplementäre MOS Struktur, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
isolated silicon-gate CMOS structure — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit … Radioelektronikos terminų žodynas
structure CMOS à deux couches de polysilicium — jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure CMOS à deux niveaux de silicium polycristallin — jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure CMOS multicouche — daugiasluoksnis jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. overlaid CMOS; overlaid CMOS structure; overlaid complementary MOS vok. komplementäre Mehrebenen MOS Struktur, f; Mehrebenen CMOS Struktur, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure CMOS résistant à la radiation — jungtinis švitinimui atsparus MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radiation hard CMOS; radiation hard CMOS structure vok. strahlungsfeste CMOS Struktur, f; strahlungsfeste komplementäre MOS Struktur, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
CMOS-Struktur — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
